IGBT是能源轉換與傳輸的核心器件，是電力電子裝置的“CPU”。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。損壞的IGBT模塊要分析失效原因，或者外觀完好的模塊要判斷是否有異常，在缺乏專門儀器的情況下，數字萬用表作為常用工具，可以幫助我們快速判別IGBT好壞，這時一般會用到萬用表的二極管檔、電阻檔、電容檔。值得注意的是，萬用表的測試數據并不具有通用性，只能作為參考依據。
以常見的62mm封裝IGBT模塊為例，其內部由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片、FWD（續流二極管）芯片、邦定線等構成，部分大電流模塊還需由多組芯片進行組合。在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現對IGBT導通/關斷/阻斷狀態的控制。
1、當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關斷狀態。
2、當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態。
3、當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：
?、谌魱?射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態。
?、谌魱?射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態（正常工作）。此時，空穴從P+區注入到N基區進行電導調制，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態壓降降低。
